国际整流器(IR) 7月2日宣布，将拓展HEXFET功率MOSFET产品组合，提供完整的中压器件系列，其中采用了5x6mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。 

　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。 

　　IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“由于新器件的尺寸仅为0.9mm，并具有标准引脚，可提供高额定电流和低导通电阻，因此与需要多个并行元件的解决方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。” 

　　所有器件都具有低热阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 标准，所采用的环保材料既不含铅、溴或卤，也符合有害物质管制指令(RoHS)。 

产品基本规格 器件编号 封装 电压 电流 导通电阻 栅极电荷类型 栅极 
IRFH5004TRPBF PQFN 5x6mm 40V 100A 2.6mΩ 73nC 标准 
IRFH5006TRPBF PQFN 5x6mm 60V 100A 4.1mΩ 67nC 标准 
IRFH5106TRPBF PQFN 5x6mm 60V 100A 5.6mΩ 50nC 标准 
IRFH5206TRPBF PQFN 5x6mm 60V 98A 6.7mΩ 40nC 标准 
IRFH5406TRPBF PQFN 5x6mm 60V 40A 14.4mΩ 23nC 标准 
IRFH5007TRPBF PQFN 5x6mm 75V 100A 5.9mΩ 65nC 标准 
IRFH5207TRPBF PQFN 5x6mm 75V 71A 9.6mΩ 39nC 标准 
IRFH5010TRPBF PQFN 5x6mm 100V 100A 9.0mΩ 65nC 标准 
IRFH5110TRPBF PQFN 5x6mm 100V 63A 12.4mΩ 48nC 标准 
IRFH5210TRPBF PQFN 5x6mm 100V 55A 14.9mΩ 39nC 标准 
IRFH5015TRPBF PQFN 5x6mm 150V 56A 31mΩ 33nC 标准 
IRFH5020TRPBF PQFN 5x6mm 200V 41A 59mΩ 36nC 标准 
IRLH5034TRPBF PQFN 5x6mm 40V 100A 最大2.4mΩ 43nC 逻辑电平 
IRLH5036TRPBF PQFN 5x6mm 60V 100A 最大4.4mΩ 44nC 逻辑电平 
IRLH5030TRPBF PQFN 5x6mm 100V 100A 最大9.0mΩ 44nC 逻辑电平